带有方孔阵列的Si、Au或Diamond哈特曼波前传感器板可以用与X射线、极紫外的FEL和同步辐射的波前检测。
典型加工能力：
参数 | 典型值 | 加工极限 |
材料 | 10 µm Si薄膜 | Si, Au, W |
深宽比 | 10 | >30 |
面积 | 薄膜: 4.5 mm x 4.5 mm | > 10 mm x 10 mm |
加工示例：
2维硅孔(间距:25mm，孔:12.5mm) 2维硅孔(间距:30mm，孔:3mm)
金孔阵列（间距：60mm，孔：3,4,5微米，金厚度：~95mm）
金孔阵列（间距：孔：5.8微米，金厚度：~45mm）
参数 | 典型值 | 加工极限 |
材料 | 10 µm Si薄膜 | Si, Au, W |
Aspect ratio | 10 | >30 |
Area | 薄膜: 4.5 mm x 4.5 mm | > 10 mm x 10 mm |
自由电子激光波前检测
同步辐射波前检测