EUV tech发布HVM级、极紫外波带片显微系统- AIRES®
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昨日，美国EUV Tech公司发布一款用于光刻掩膜版缺陷检测的HVM级、极紫外波带片显微系统- AIRES®。相较于2020年交付的原型机，该系统的亮点是能满足大规模生产的需求[1]。
众星快评：实现HVM的核心是有效的提高系统的检测速度，核心要素一是提高光源的亮度，二是提高光学系统的NA。
故做出如下大胆推测
光源层面
DPP ☛ LPP (Sn Target) ☛ LPP (Li target) [2]
核心FZP层面
- free-standing FZP以提高EUV透过率
- 50-100nm Si membrane 提供透过率，并保持较高的机械强度 [3]
- 使用 Ru absorber 以提高衍射效率 [3]
- 使用消色差FZP结构，以进一步提高光利用率 [4]
☄ 参考文献及信息：
[1] https://spie.org/advanced-lithography/presentation/HVM-ready-EUV-zoneplate-microscopy-for-mask-defect-review/13426-68
[2] Coons, R. W., et al. "Comparison of EUV spectral and ion emission features from laser-produced Sn and Li plasmas." Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography. Vol. 7636. SPIE, 2010.
[3] www.xrnanotec.com
[4] A. Kubec et al. An achromatic X-ray lens. Nat. Commun. 13 (2022), p. 1305
U. Sanli et al. Apochromatic X-ray focusing. Light Sci Appl 12, 107 (2023)
内 容 凯文
编 辑 小乔
