EUV光在产生和发射过程中不可避免的碎屑污染的问题，除了利用电场、磁场、气体吹拂等有利措施改变碎屑运动的方向，减少污染源进入EUV光路外，采用对EUV光具有高透过率的薄膜元件实现对污染碎屑的阻挡和隔离是实现高分辨率图案光刻的核心环节。新一代的EUV薄膜元件主要采用碳基材料，例如石墨烯薄膜和碳纳米管（CNT）薄膜，相比于早期的晶体硅薄膜，碳基薄膜具有更高的EUV透过率，同时碳材料优异的导热性和机械稳
EUV光在产生和发射过程中不可避免的碎屑污染的问题，除了利用电场、磁场、气体吹拂等有利措施改变碎屑运动的方向，减少污染源进入EUV光路外，采用对EUV光具有高透过率的薄膜元件实现对污染碎屑的阻挡和隔离是实现高分辨率图案光刻的核心环节。新一代的EUV薄膜元件主要采用碳基材料，例如石墨烯薄膜和碳纳米管（CNT）薄膜，相比于早期的晶体硅薄膜，碳基薄膜具有更高的EUV透过率，同时碳材料优异的导热性和机械稳定性，使得这类薄膜材料能够满足EUV光刻过程中的碎屑污染防护。
目前我司可以提供高质量的极紫外碳纳米管（CNT）保护膜，以用于极紫外、X射线相关的基础研究。
图1 极紫外碳纳米管（CNT）保护膜含支架示意图
主要参数：
保护膜尺寸：25mm/14.7mm直径
释气材料：无
13.5nm透过率>80%
13.5nm透过率均匀性：+/1 %
粒子防护能力：>95%
众星联恒是EUV-X射线核心部件及解决方案供应商，除了极紫外碳纳米管（CNT）保护膜以外，我们还可以提供其他各类的极紫外、X射线滤片，如果自支撑金属滤膜，多层膜反射滤片等详情如下：
图2 各类EUV、X射线滤片（部分有现货）
