XRP硅漂移X射线光谱仪是一款紧凑型的设计,非常适合于集成于手持设备或工业设备中。它由一个密封的SDD模块(该SDD基于芯片集成场效应晶体管和低噪声前置放大器),供电电源及DPP组成。
主要参数:
◆有效探测面积:10-30 mm2
◆能量分辨率:127-130 eV FWHM @Mn-Ka,-30°
◆真空密封性:<0.01 mbar
◆窗口材料:Be
XRP-The XRF Preamplifier Module参数:
名称 | 有效面积 | 能量分辨率 | 峰背比@Mn_K | 窗口材料 | 准直器 |
SDD-10-130-BeP Complete XRP | 10 | 130 eV ± 3eV | 4500 ± 1000 | 8 μm Be | 3.2mm |
SDDplus-10-130p-BeP Complete XRP | 10 | 128 eV ± 3eV | 7500 ± 2500 | 8 μm Be | 3.2mm |
SDDplus-30-128-BeP Complete XRP | 30 | 128 eV ± 3eV | 12500 ± 2500 | 8 μm Be | 5.8mm |
主要特性
XRP X射线光谱仪探测头功能结构示意图


使用标准DPP测量高达500Kcps吞吐量

超强的抗辐射能力

芯片不同制冷温度下的能力分辨能力

SDD芯片及配8微米Be窗的量子效率

典型应用:
XRP-The XRF Preamplifier Module参数:
名称 | 有效面积 | 能量分辨率 | 峰背比@Mn_K | 窗口材料 | 准直器 |
SDD-10-130-BeP Complete XRP | 10 | 130 eV ± 3eV | 4500 ± 1000 | 8 μm Be | 3.2mm |
SDDplus-10-130p-BeP Complete XRP | 10 | 128 eV ± 3eV | 7500 ± 2500 | 8 μm Be | 3.2mm |
SDDplus-30-128-BeP Complete XRP | 30 | 128 eV ± 3eV | 12500 ± 2500 | 8 μm Be | 5.8mm |