激光驱动高亮EUV光源

独家授权-激光驱动高亮EUV光源

13.5nm,极紫外光刻,高亮,高功率

  • 产地:
  • 型号: TEUS-S100、TEUS-S200、TEUS-S400
  • 品牌:


TEUS-LPP 紧凑型激光驱动等离子体极紫外光源基于快速旋转液态金属靶,这种新型LPP靶结合了传统的碎片减缓技术,是清洁极紫外光源的最佳解决方案。基于其亮度高、洁净、能量抖动小等特点,非常适合大规模生产中基于 EUV 显微的掩模版检测等需要高亮度 EUV 光源的应用场景,或者小规模光刻生产与实验等应用方向。经过数台 TEUS 的交付,已经验证该光源的性能及稳定性。

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特征优势

  • 将液滴碎片重定向远离输入(激光)和输出(EUV)窗口

  • 用于高重复率激光系统(高达1Mhz)的不受干扰的靶材表面

  • 由于靶材是连续的,所需的同步最小

  • 高亮度,高通量,优秀的空间稳定性

  • 极高的正常运行时间

  • 高占空比,交钥匙作业

北京众星联恒科技有限公司

高速转速:液滴的重定向

北京众星联恒科技有限公司

高转速允许初始速度与目标线速度相当的液滴的角速度分布发生剧烈变化

(受授权版专利保护的关键要素、一般原理和技术)


北京众星联恒科技有限公司

高旋转速度导致的液滴减缓效果的演示


规格参数


型号EUV收集角(sr)激光平均功率(W)脉宽(ns)重频(kHz)等离子体尺寸*(μm)亮度(W/mm2sr)EUV功率(mW)

收集镜**

寿命

TEUS-S1000.05
1001.5
25≤60
1105>1年
TEUS-S2002005022010>半年
TEUS-S40040010045020>半年

* : 定义为等离子强度分部1/e2的直径

**:收集镜为系统选配


典型应用

  • 掩膜及表面检测

  • 图形化掩膜检测(PMI)

  • 掩膜空间像检测(AIMS)

  • 空白掩膜版检测(MBI)

  • 材料科学

  • 晶圆检测

  • 极紫外扫描光刻工艺链中的极紫外光学器件检测


使用环境要求

型号供电功耗尺寸(长x宽x高)

重量(含激光部件)

洁净间级别水流速
TEUS-S1006.5 kW
1500x1000x1200 mm770kgISO7
10 L/min
TEUS-S2008.5 kW1500x1000x1200 mm770kgISO715 L/min
TEUS-S40010.5 kW

1500x1000x1200 mm

770kgISO725 L/min


资料文献

北京众星联恒科技有限公司EUV source 画册_2023_v1_众星.pdf


EUV收集角(sr)激光平均功率(W)脉宽(ns)重频(kHz)等离子体尺寸(μm)亮度(W/mm2sr)EUV功率(mW)收集器寿命
TEUS-S1000.05
1001.5
2560
1105>1年
TEUS-S2002005022010>半年
TEUS-S40040010045020>半年


典型应用

  • 掩膜及表面检测

  • 图形化掩膜检测

  • 掩膜空间像检测

  • 材料科学

  • 晶圆检测

  • 极紫外扫描光刻工艺链中的极紫外光学器件检测


北京众星联恒科技有限公司EUV source 画册_2023_v1_众星.pdf

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