CCD常见术语

  • 暗电流(Dark Current)

    势阱收集的是电子,对P-Si衬底来说,是P型半导体的少子。由于热激发,P型半导体总会有少量的电子生成,其数量与温度密切相关,230K~300K范围内少子数量与温度(K)的近似关系如下: 暗电流越小越好,一般以每秒每像素多少个电子给出。Greateyes GE-VAC 1024 256 BI UV1暗噪声0.0005 e-/pixel/sec @ -80℃热激发产生的电子是一种噪声,称为暗噪声(Da

    2018-12-04 192

  • 量子效率(Quantum Efficiency)(光谱特性)

    量子效率(Quantum Efficiency)(光谱特性)定义为CCD芯片在一定波长入射光的照射下,由光电效应产生的平均光电子数与入射光子数之比,表征了CCD芯片对不同波长入射光的敏感程度。不同波长的光量子效率不同,CCD对某些波长的量子效率可高达98%。光电子数量:入射方式l  当光从栅极一侧入射时,光会被栅极吸收一部分,并且某些波长的光子可能无法穿过栅极和SiO2绝缘层,量子效率低

    2018-12-04 205

  • CCD的结构、工作原理和制造方法

    CCD结构和工作原理CCD每个像素是一个金属-氧化物-半导体(Metal-Oxidation-Semiconductor, MOS)单元,按制造方法大体上可分为:l  表面沟道电荷耦合器件(SCCD – Surface-channel Charge-Coupled Device)l  隐埋通道电荷耦合器件(BCCD – Buried Channel Charge-Coupled

    2018-12-04 797

  • 像素满井容量(Full-Well Capacity)

    对科学级相机,一般为数百个ke。满井容量与栅极电压UG、绝缘层电容Cox、栅极面积Ad和P-Si掺杂浓度相关:Q=Cox×UG×AdGreateyes内真空相机 GE-VAC 1024 256 BI UV1,像素满井容量为500ke。满井容量高,则动态范围大。上述内容由我司Jerry Huang 整理收集,仅用于知识的分享和共同学习,未经过同意不得擅自转载。

    2018-12-04 882

  • CCD分辨率

    单位面积的像素个数,分辨率与像素大小(面积)、单位面积或单位长度内像素个数相关。科学级CCD相机通常以像素大小和像素个数给出分辨率。如Greateyes内真空相机 GE-VAC 1024 256 BI UV1,像素个数为1024×256个,像素面积为26μm×26μm。

    2018-10-17 182

  • CCD是什么?

    CCD是Charge-Coupled Device电荷耦合器件的缩写。CCD是贝尔实验室W.S.Boyle和G.E.Smith于1970年发明的,由于它具有光电转换、信息存储、延时和将电信号按顺序传送等功能,且集成度高、功耗低,因此随后得到飞速发展,是图像采集及数字化必不可少的关键部件,广泛用于科学、教育、医学、商业、工业、军事和消费领域。

    2018-10-17 262

  • CCD基本单元

    CCD基本单元CCD基本单元为像素,按像素的排列方式有两种:1.         线阵CCD – 多个像素排成一行或一列,如扫描仪。2.         面阵CCD – 多个像素排成阵列。如家用CCD相机。科学级CCD相机一般是面阵。如Gr

    2018-10-17 263

上一页123下一页 转至第
首页
产品
新闻
联系