CCD常见术语

像素读出频率的限制

2020-03-02 16:24:14 19

下限:为避免热激发产生的电子(暗电流)的影响,要求电荷包从一个栅极转移到下一个栅极所用时间t必须小于暗电子(P-Si少子)的平均寿命τi,平均寿命与温度相关,温度越高,寿命越短。对三相耦合读出结构来说,读出频率:

                          image.png

上限:转移时间应大于电荷从一个栅极移动到另一个栅极的时间τg

                                               image.png

表面沟道CCD的读出频率≤10MHz

隐埋沟道CCD的读出频率≤240MHz




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