紫外光刻-Mask Aligners
依托尖端设备和丰富的经验，我们能够为客户提供从设计到成品的一站式解决方案，涵盖电子束光刻、激光直写、X射线光刻、双光子聚合、极紫外激光干涉光刻、紫外光刻、电镀等多种核心技术。产品线包括菲涅耳波带片、纳米级光栅、金刚石光学器件、纳米分辨率测试卡、3D分辨率测试卡等。菲涅耳波带片分辨率可低至<10nm，凭借独特的 Ir-线倍增技术，可以获得精确到 5nm 的 X 射线束聚焦。
紫外光刻是一种使用紫外光通过掩模将图案转移到光刻胶上的技术，而Mask Aligner（掩模对准器）则是实现这一技术的关键设备。通过将掩模上的精细图案精确转移到涂覆了光刻胶的硅片上。这一过程不仅要求极高的对准精度，还需要高效的生产效率。Mask Aligner的出现极大地推动了半导体技术的发展，使得更复杂、更精细的电路成为可能，适用于大规模生产和多材料图案化。
设备: SUSS MA8-BA6 、SUSS MA6-BA6
支持6/8英寸晶圆的精确对准和曝光，分辨率可达800nm。
提供顶部和底部对准选项，确保高精度图案转移。
典型应用
广泛材料的图案转移，适用于半导体、光学器件等领域。
膜状晶圆和其他特殊基底的加工。